CISSOID 高性能分立器件栅极驱动器IGBT功率模块
浏览量:431 上传更新:2024-11-25
CISSOID  高性能分立器件栅极驱动器IGBT功率模块

CISSOID 是功率半导体解决方案领域的领导者,提供满足各种功率要求的多相、大电流功率开关、电机控制系统和软件。我们的解决方案范围从片上系统到完整的基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的逆变器参考设计,支持不断增长的电动汽车和高功率应用。我们在极端高温半导体、高可靠性解决方案和封装方面的领导地位和专业知识使我们能够应对各个市场中不断增长的功率密度挑战。


比利时Cissoid ---高温半导体的领导者/High temperature Semiconductor leader

产品主要有稳压电源、二极管、Mos管等分立器件、功利率器件运放,逻辑门及门驱动IC等


CISSOID是高温半导体解决方案的领导者,为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调理提供标准产品和定制解决方案。CISSOID提供从-55°C到+225°C的高可靠性产品,通常在该范围之外使用,从低温低到高温。


深圳市宏诺德电子科技公司代理比利时Cissoid主要产品如下:所有产品线支持原厂订购,并提供FAE技术支持


Discrete 分立元件-55°C至+225°C二级管、MOS管等

●80V N沟道小信号MOSFET

●10A、1200V碳化硅肖特基二极管

●40V双NMOS晶体管

●小信号P沟道和N沟道MOSFET

●功率MOSFET NMOS 80V(CHT-NMOS80xx)

●双二极管80V/3A-TO257封装-双系列

●功率晶体管-NMS-80V-1A-TDFP16封装(NMOS8001)

Gate Driver 门驱动IC


CISSOID有源元件额定温度为-55°C至+225°C(Tj)

•隔离的高侧和低侧栅极驱动器

•支持浮动驱动器的隔离DC-DC转换器

•高温10A/1200V SiC MOSFET开关

•直流母线电压:典型值600V。(设计最大电压为1200V)

•DC-DC转换器开关频率:180kHz典型值。

•单电源:[12-15V]±10%

•欠压锁定(UVLO)

SIC MOSFET智能功率IPM模块

这款新型三相1200V/340A-550A SiC MOSFET智能功率模块平台专为汽车、工业和航空航天电机驱动器而设计。由于在高结温(高达175°C)和低开关损耗下运行,它使高功率密度转换器能够充分利用SiC技术的全部优势。



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